空气分子污染物监测系统快速监测、报警、极低浓度测量、宽测量区域、多气体的高灵敏响应等是半导体工业要求之一。深紫外光刻工艺特别关注氨、胺类、N-甲基毗咯烷酮NMP、酸类等浓度测量，当这些气体与化学放大光刻胶反生反应 时，将深深的影响半导体器件质量。

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